可(ke)控(kong)(kong)硅，即可(ke)控(kong)(kong)硅模塊(kuai)，也就是我(wo)們(men)俗稱的(de)(de)(de)功率(lv)半導體模塊(kuai)，目前(qian)在(zai)我(wo)國的(de)(de)(de)電(dian)力(li)電(dian)子技術領域(yu)發揮著(zhu)重要(yao)的(de)(de)(de)作用(yong)，獲得了廣泛的(de)(de)(de)應用(yong)于關注，當然，可(ke)控(kong)(kong)硅模塊(kuai)也有(you)很(hen)多種(zhong)類，不(bu)(bu)同(tong)種(zhong)類的(de)(de)(de)可(ke)控(kong)(kong)硅模塊(kuai)不(bu)(bu)僅特點不(bu)(bu)同(tong)，同(tong)時(shi)，負荷能(neng)(neng)力(li)也大(da)有(you)差距，尤其是在(zai)電(dian)壓不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)(de)情況(kuang)下(xia)(xia)差異(yi)很(hen)大(da)。通常(chang)情況(kuang)下(xia)(xia)來說，可(ke)控(kong)(kong)硅模塊(kuai)的(de)(de)(de)負荷能(neng)(neng)力(li)與電(dian)壓大(da)小有(you)著(zhu)直接關系，接下(xia)(xia)來，小編(bian)就來給大(da)家說說不(bu)(bu)同(tong)電(dian)壓下(xia)(xia)的(de)(de)(de)可(ke)控(kong)(kong)硅模塊(kuai)負荷能(neng)(neng)力(li)。
1、在1.1倍額定電壓下，可控硅模塊能夠(gou)長期運行。
2、在1.15倍額定電壓下，能夠每24小(xiao)時中運行30分鐘。
3、在1.2倍額定電壓下每(mei)月中運行(xing)2次，每(mei)次5分(fen)鐘。
4、在1.3倍(bei)額定電壓下每月中運行2次(ci)，每次(ci)1分(fen)鐘。
5、值得了(le)解(jie)的是可(ke)控硅模塊成套裝置在有效值為1.3倍額(e)定(ding)電(dian)流下能夠(gou)連(lian)續運行(xing)。
當(dang)然，現(xian)在(zai)一(yi)些可控硅(gui)模塊能(neng)夠通過(guo)晶閘管過(guo)零和峰值投(tou)切，無需(xu)放電，投(tou)切速度較快，適用于各種場合(he)的(de)無功補償，所以，選擇合(he)適的(de)電壓即可。
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